金属/AlAsスペーサー層/(Ga,Mn)As構造における磁化の光誘起才差運動
金属/AlAsスペーサー層/(Ga,Mn)As構造における磁化の光誘起才差運動
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金属/AlAs间隔层/(Ga,Mn)As结构中光致磁化进动
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小林暁
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小林暁;橋本祐介;宗片比呂夫;小林暁;小林暁;小林暁;小林暁;小林暁
