Niobium, indium, and tin heterodiffusion during formation of two-layer systems on silicon single crystals
Niobium, indium, and tin heterodiffusion during formation of two-layer systems on silicon single crystals
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硅单晶上双层系统形成过程中铌、铟和锡的异质扩散
DOI：
10.1134/s0036023611050020
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发表时间：
2011
影响因子：
2.1
通讯作者：
A. M. Khoviv
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. A. Afonin;V. Logacheva;Yu. S. Shramchenko;A. M. Khoviv
