Aligned island formation using an array of step bands and holes on Si(111)
Aligned island formation using an array of step bands and holes on Si(111)
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使用 Si(111) 上的阶梯带和孔阵列形成对齐岛
DOI：
10.1063/1.123377
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发表时间：
1999
影响因子：
4
通讯作者：
T. Ogino
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Homma;P. Finnie;T. Ogino
我们研究了使用具有周期性孔阵列的图案化Si（111）表面来控制岛的形成。在退火期间，Au和Ga在围绕孔的台阶带阵列上的固定位置处形成岛。这些材料或其硅化物在高温下为液相。它们沿着阶跃带扩散，并在周期性阶跃带上的特定点处积累。通过控制图案的尺寸，可以精确地设计岛的尺寸。
We investigated the control of island formation using a patterned Si(111) surface with a periodic array of holes. During annealing, Au and Ga form islands at fixed locations on the array of step bands surrounding the holes. These materials or their silicides are in liquid phase at elevated temperatures. They diffuse along the step bands and accumulate at particular points on the periodic step bands. The size of the islands can be precisely designed by controlling the size of the pattern.