次世代半導体デバイスに向けたIV族混晶薄膜の形成と物性制御
次世代半導体デバイスに向けたIV族混晶薄膜の形成と物性制御
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用于下一代半导体器件的IV族混合晶体薄膜的形成和物理性能控制
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
財満鎭明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高橋恒太;黒澤昌志，坂下満男;中塚理;財満鎭明
