Low Temperature SiC Film Deposition Using Trichlorosilane Gas and Monomethylsilane Gas
Low Temperature SiC Film Deposition Using Trichlorosilane Gas and Monomethylsilane Gas
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使用三氯硅烷气体和一甲基硅烷气体进行低温 SiC 薄膜沉积
DOI：
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发表时间：
2011
影响因子：
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通讯作者：
Yusuke Ando
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hitoshi Habuka;Yusuke Ando
