Charge trapping on different cuts of a single‐crystalline α‐SiO2
Charge trapping on different cuts of a single‐crystalline α‐SiO2
复制标题
单晶 α-SiO2 不同切割上的电荷俘获
DOI：
10.1063/1.354778
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发表时间：
1993
影响因子：
3.2
通讯作者：
B. Tan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Gong;C. Gressus;K. Oh;X. Ding;C. Ong;B. Tan
使用扫描电子显微镜研究 α-SiO2 不同切口上的充电情况。提出了一种确定捕获电荷的方法。观察到不同切口上的电荷按 α-SiO2 的 z 切口、30° 切口、45° 切口和 60° 切口的顺序减少。这种现象与样品的介电常数、缺陷密度和应力有关。给出了实验细节和电荷测定方法。
A scanning electron microscope is employed for the investigation of charging on different cuts of an α‐SiO2. A method for the determination of trapped charges is proposed. Charging on different cuts is observed to decrease in the order of z cut, 30° cut, 45° cut, and 60° cut of the α‐SiO2. This phenomenon is related to permittivity, defect density, and stress of the samples. Details of the experiments and the method of charge determination are given.