Considerations on the kinetic correlation between SiC nitridation and etching at the 4H-SiC(0001)/SiO2 interface in N2 and N2 /H2 ambient
Considerations on the kinetic correlation between SiC nitridation and etching at the 4H-SiC(0001)/SiO2 interface in N2 and N2 /H2 ambient
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N2和N2/H2环境下4H-SiC(0001)/SiO2界面SiC氮化与刻蚀动力学相关性的思考
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tianlin Yang and Koji Kita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
馮宇;島田悠人;Cao Chen;安富啓太;川人祥二;香川景一郎;Tianlin Yang and Koji Kita
