Cathodoluminescence Characterization of GaN-based Materials: From Wafer-scale Mapping to Nano-scale 3D analysis
Cathodoluminescence Characterization of GaN-based Materials: From Wafer-scale Mapping to Nano-scale 3D analysis
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GaN 基材料的阴极发光表征：从晶圆级测绘到纳米级 3D 分析
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takashi Sekiguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jun Chen;Wei Yi;Takashi Kimura;Takashi Sekiguchi
