Tin(IV) Methylselenolate as a Low Temperature SnSe Precursor and Conductive “Glue” Between Colloidal Nanocrystals
Tin(IV) Methylselenolate as a Low Temperature SnSe Precursor and Conductive “Glue” Between Colloidal Nanocrystals
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甲基硒酸锡 (IV) 作为低温 SnSe 前体和胶体纳米晶体之间的导电“胶水”
DOI：
10.1002/cnma.201900650
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
Wang, Robert Y.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Vartak, Prathamesh B.;Wang, Robert Y.
我们报道了一种可溶性前驱体的合成，该前驱体在200 °C下转变为晶态SnSe。这一转变温度显著低于先前报道的270-350 °C范围内的硒化锡前驱体。该前驱体是由锡和二甲基二硒醚反应合成的，我们结合质谱学、拉曼光谱和核磁共振光谱鉴定了该前驱体为锡(IV)甲基亚硒酸酯。然后，我们用这种前驱体对PbSe胶体纳米晶进行化学处理，并对它们进行温和的热处理。我们用红外光谱、像差校正扫描电子显微镜和X射线光电子能谱表征了这一过程中的化学和结构变化。这些表征研究表明，成功地形成了填充PbSe纳米晶核之间间隙的类SnSe材料。我们发现，这些纳米晶薄膜的导电性可以与其他用于改善电荷传输的优秀处理方法相媲美。这种良好的电荷传输证明了甲基亚硒酸锡(IV)作为纳米晶之间的导电胶的用途。
We report the synthesis of a soluble precursor that transforms into crystalline SnSe at 200 °C. This transformation temperature is significantly lower than the 270–350 °C range of previously reported tin selenide precursors. This precursor is synthesized by reacting tin with dimethyl diselenide and we identify the precursor as tin(IV) methylselenolate using a combination of mass spectrometry, Raman spectroscopy, and nuclear magnetic resonance spectroscopy. We then chemically treat PbSe colloidal nanocrystals with this precursor and subject them to mild annealing. We characterize the chemical and structural changes during this processing using infrared spectroscopy, aberration‐corrected scanning transmission electron microscopy, and X‐ray photoelectron spectroscopy. These characterization studies indicate the successful formation of a SnSe‐like material that fills the interstitial space between the PbSe nanocrystal cores. We find that the electrical conductivity of these nanocrystal films is comparable to other excellent treatments used to improve charge transport. This excellent charge transport demonstrates the utility of tin(IV) methylselenolate as a conductive “glue” between nanocrystals.
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