Order-parameter dependence of spontaneous electron accumulation at Ga_<0.5>In_<0.5>P/GaAs studied by Raman-scattering and photoluminescence measurements
Order-parameter dependence of spontaneous electron accumulation at Ga_<0.5>In_<0.5>P/GaAs studied by Raman-scattering and photoluminescence measurements
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通过拉曼散射和光致发光测量研究 Ga_<0.5>In_<0.5>P/GaAs 自发电子积累的有序参数依赖性
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Schweizer
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Yamashita;K.Oe;T.Kita;O.Wada;Y.Wang;C.Geng;F.Scholz;H.Schweizer
