Numerical analysis of pulsed I-V curves and current collapse in GaN FETs as affected by buffer trapping

Numerical analysis of pulsed I-V curves and current collapse in GaN FETs as affected by buffer trapping
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受缓冲捕获影响的 GaN FET 中的脉冲 I-V 曲线和电流崩溃的数值分析

DOI:
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发表时间:
2005
期刊:
Proceedings of 2005 IEEE Compound Semiconductor IC Symposium
影响因子:
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通讯作者:
K.Horio
K.Horio
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
H.Nakano;H.Takayanagi;K.Yonemoto;K.Horio

文献摘要

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