Strain analysis of SiC and GaN surface regions using extremely asymmetric X-ray diffraction, 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces
Strain analysis of SiC and GaN surface regions using extremely asymmetric X-ray diffraction, 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces
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使用极不对称 X 射线衍射对 SiC 和 GaN 表面区域进行应变分析，第 11 届国际原子控制表面会议
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Akimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
野地尚;今泉真人;足立匡;小池洋二;K. Akimoto
