CMOSプラットフォーム上の高移動度チャネルMOSトランジスタ技術
CMOSプラットフォーム上の高移動度チャネルMOSトランジスタ技術
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CMOS平台上的高迁移率沟道MOS晶体管技术
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高木信一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山本学;吉本賢誠;橘倫太郎;齋藤隆之;Kunihiko Mabuchi;高木信一
