X-TEM of shallow doping layer of Si by ultra-low energy boron ion implantation
X-TEM of shallow doping layer of Si by ultra-low energy boron ion implantation
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超低能硼离子注入硅浅掺杂层的 X-TEM
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Yamamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岸本慎平、伊藤國雄;他;K. Yamamoto
