Optimization of the bent perfect Si(3 1 1)-crystal monochromator for a residual strain/stress instrument at the HANARO reactor—Part I
Optimization of the bent perfect Si(3 1 1)-crystal monochromator for a residual strain/stress instrument at the HANARO reactor—Part I
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HANARO 反应堆残余应变/应力仪弯曲完美 Si(3 1 1) 晶体单色仪的优化——第一部分
DOI：
10.1016/j.physb.2005.06.041
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发表时间：
2005
影响因子：
2.8
通讯作者：
K. Jin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Moon;Changhee Lee;V. Em;P. Mikula;K. Hong;Young;J. Cheon;Young;S. Kim;Sung;K. Jin
