High mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm ultrathin EOT using Hf02/A1203/Ge0x/Ge gate stacks fabricated by plasma post oxidation
High mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm ultrathin EOT using Hf02/A1203/Ge0x/Ge gate stacks fabricated by plasma post oxidation
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使用通过等离子体后氧化制造的 Hf02/A12O3/Ge0x/Ge 栅极叠层，具有 0.7 nm 超薄 EOT 的高迁移率 Ge pMOSFET
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Zhang;P. C. Huang;N. Taoka;M. Takenaka;S. Takagi
