Reduction of Li impurity in the freestanding GaN substrate fabricated using the sapphire dissolution technique in the Na-flux growth
Reduction of Li impurity in the freestanding GaN substrate fabricated using the sapphire dissolution technique in the Na-flux growth
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减少 Na 助熔剂生长中使用蓝宝石溶解技术制造的独立式 GaN 衬底中的 Li 杂质
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Yusuke Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takumi Yamada;Masayuki Imanishi;Kosuke Murakami;Kosuke Nakamura; Mamoru Imade;Masashi Yoshimura;and Yusuke Mori
