Low temperature epitaxial growth of 3C-SiC on (111) silicon substrates
Low temperature epitaxial growth of 3C-SiC on (111) silicon substrates
复制标题
(111)硅衬底上低温外延生长3C-SiC
DOI：
10.1016/0022-0248(90)90528-s
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发表时间：
1990
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Karasawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Hirabayashi;Ken Kobayashi;S. Karasawa
