Ion beam enhancement in magnetically insulated ion diodes for high-intensity pulsed ion beam generation in non-relativistic mode
Ion beam enhancement in magnetically insulated ion diodes for high-intensity pulsed ion beam generation in non-relativistic mode
复制标题
磁绝缘离子二极管中的离子束增强，用于在非相对论模式下产生高强度脉冲离子束
DOI：
10.1063/1.4940918
复制
发表时间：
2016-01
影响因子：
2.2
通讯作者：
Lei M. K.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhu X. P.;Zhang Z. C.;Pushkarev A. I.;Lei M. K.
在磁场绝缘条件下，通过抑制电子流，从离子二极管阳极等离子体中引出离子束，获得了离子流密度超过Child-Langmuir极限的强流脉冲离子束（HIPIB）。理论计算表明，在非相对论模式下，随着磁场的增加，离子流密度的最大值可达到Child-Langmuir极限的近3倍，在高相对论模式下可达到Child-Langmuir极限的近6倍。在这项研究中，磁绝缘的离子束增强的行为进行了系统的研究，在三种类型的磁绝缘离子二极管（MID）与被动阳极，考虑到阳极表面的阳极等离子体产生过程。在200-300 kV的加速电压下，在非相对论模式下可获得超过Child-Langmuir极限的最大增强因子，大于6。MID的不同之处在于两种阳极等离子体形成机制，即，表面闪络的电介质涂层上的阳极和爆炸性…
High-intensity pulsed ion beam (HIPIB) with ion current density above Child-Langmuir limit is achieved by extracting ion beam from anode plasma of ion diodes with suppressing electron flow under magnetic field insulation. It was theoretically estimated that with increasing the magnetic field, a maximal value of ion current density may reach nearly 3 times that of Child-Langmuir limit in a non-relativistic mode and close to 6 times in a highly relativistic mode. In this study, the behavior of ion beam enhancement by magnetic insulation is systematically investigated in three types of magnetically insulated ion diodes (MIDs) with passive anode, taking into account the anode plasma generation process on the anode surface. A maximal enhancement factor higher than 6 over the Child-Langmuir limit can be obtained in the non-relativistic mode with accelerating voltage of 200–300 kV. The MIDs differ in two anode plasma formation mechanisms, i.e., surface flashover of a dielectric coating on the anode and explosive...
登录
查看更多内容
影响因子：
1.7
作者：
X. P. Zhu;Y. Tang;Xiaogang Wang;M. Lei
通讯作者：
X. P. Zhu;Y. Tang;Xiaogang Wang;M. Lei
影响因子：
1.7
作者：
A. Pushkarev;Y. Isakova
通讯作者：
A. Pushkarev;Y. Isakova
影响因子：
1.7
作者：
K. Kasuya;Y. Kinoshita;T. Norimatsu;S. Nakai;W. Mróz;A. Prokopiuk
通讯作者：
K. Kasuya;Y. Kinoshita;T. Norimatsu;S. Nakai;W. Mróz;A. Prokopiuk
影响因子：
4
作者：
Z. Werner;J. Piekoszewski;W. Szymczyk
通讯作者：
Z. Werner;J. Piekoszewski;W. Szymczyk
DOI：
10.1115/1.3139214
发表时间：
2009-06
影响因子：
4
作者：
M. Lei;X. P. Zhu;Caichi Liu;J. Xin;X. Han;P. Li;Z. Dong;Xinlin Wang;S. Miao
通讯作者：
M. Lei;X. P. Zhu;Caichi Liu;J. Xin;X. Han;P. Li;Z. Dong;Xinlin Wang;S. Miao