Electrical hysteresis in p-GaN metal-oxide- semiconductor capacitor with atomic-layer-deposited Al2O3 as gate dielectric
Electrical hysteresis in p-GaN metal-oxide- semiconductor capacitor with atomic-layer-deposited Al2O3 as gate dielectric
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以原子层沉积 Al2O3 作为栅极电介质的 p-GaN 金属氧化物半导体电容器的电滞现象
DOI：
10.7567/apex.9.121002
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发表时间：
2016
影响因子：
2.3
通讯作者：
and Liwen Sang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kexiong Zhang;Meiyong Liao;Masataka Imura;Toshihide Nabatame;Akihiko Ohi;Masatomo Sumiya;Yasuo Koide;and Liwen Sang
