2.Characteristics of gallium oxide based wide bandgap semiconductors
2.Characteristics of gallium oxide based wide bandgap semiconductors
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2.氧化镓基宽带隙半导体的特性
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Qixin GUO
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Fabi Zhang ;Makoto Arita ;Xu Wang ;Zhengwei Chen ;Katsuhiko Saito ;Tooru Tanaka ;Mitsuhiro Nishio ;Teruaki Motooka ;Qixin Guo*;Qixin GUO;Qixin GUO;Qixin GUO;Qixin GUO
