Microstructure and Thermoelectric Properties of p-type Si$lt;inf$gt;80$lt;/inf$gt;Ge$lt;inf$gt;20$lt;/inf$gt;B$lt;inf$gt;0.6$lt;/inf$gt;-SiC Nanocomposite
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DOI：
10.15541/jim20160060
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发表时间：
2016-08
影响因子：
1.7
通讯作者：
Xiaoyan Yang;Jiehua Wu;Ren Dudi;Tiansong Zhang;Lidong Chen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xiaoyan Yang;Jiehua Wu;Ren Dudi;Tiansong Zhang;Lidong Chen
采用感应熔炼、球磨与放电等离子烧结的方法制备了SiC第二相均匀分布的Si 80 Ge 20 B 0.6 -SiC纳米复合热电材料。系统研究了细化Si 80 Ge 20 B 0.6 晶粒尺寸与复合SiC纳米颗粒对材料热电性能的影响。球磨导致的Si 80 Ge 20 B 0.6 晶粒尺寸的降低显著增加了材料的晶界数量, 进而增强了晶界对中长波声子的散射, 能够有效降低材料的晶格热导。Si 80 Ge 20 B 0.6 基体中均匀分布的纳米SiC颗粒提供了额外的散射中心和界面，可进一步增强声子散射，降低材料的晶格热导。在纳米结构化与SiC纳米复合的共同作用下, 材料在1000 K 时热电优值 ZT 达到了0.62, 较基体提高了17%。证明纳米结构化与纳米复合方法能够共同作用于硅锗合金, 提高其热电性能。