Effect of Al Post Metallization Annealing on Al2O3/GeO2/Ge Gate Stack
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Al 金属化后退火对 Al2O3/GeO2/Ge 栅叠层的影响
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuta Nagatomi;Yuichi Nagaoka;Shintaro Tanaka;Keisuke Yamamoto;Dong Wang; Hiroshi Nakashima
