Modified Diffusion Bonding of Chemical Mechanical Polishing (CMP)-Cu at 150C at Ambient Pressure
Modified Diffusion Bonding of Chemical Mechanical Polishing (CMP)-Cu at 150C at Ambient Pressure
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化学机械抛光 (CMP)-Cu 在 150C、环境压力下的改良扩散键合
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Suga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Shigetou;T.Suga
