T.Saito: "Band Discontinuity and Effects of Si-Insertion Layer at (311) A Go As/Al As Interface" Solid State Electronics(to be published). (1994)
T.Saito: "Band Discontinuity and Effects of Si-Insertion Layer at (311) A Go As/Al As Interface" Solid State Electronics(to be published). (1994)
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T.Saito：“(311) Go As/Al As 界面处 Si 插入层的能带不连续性和影响”固态电子学（即将出版）。
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