High-pressure Raman study of Ba doped type III silicon clathrate Ba_<24>Si_<100> up to 27 GPa
High-pressure Raman study of Ba doped type III silicon clathrate Ba_<24>Si_<100> up to 27 GPa
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Ba 掺杂 III 型硅包合物 Ba_<24>Si_<100> 高达 27 GPa 的高压拉曼研究
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Shimizu et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Machida;Masahiro N.;清水宏晏ら;武田 淳;H.Shimizu et al.
