The circular polarization inversion in δ⟨Mn⟩/InGaAs/GaAs light-emitting diodes
The circular polarization inversion in δ⟨Mn⟩/InGaAs/GaAs light-emitting diodes
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δ⟨Mn⟩/InGaAs/GaAs发光二极管的圆偏振反转
DOI：
10.1063/1.4927645
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发表时间：
2015
影响因子：
4
通讯作者：
A. Kudrin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Dorokhin;Yu. A. Danilov;B. Zvonkov;M. Balanta;M. Brasil;F. Iikawa;U. C. Mendes;J. Brum;P. Demina;E. Malysheva;A. Zdoroveyshchev;A. Kudrin
我们研究了由邻近铁磁δ⟨Mn⟩层的InGaAs/GaAs量子阱组成的发光二极管。从光致发光和电致发光中获得的磁场依赖的圆极化显示出不同寻常的符号反转，这取决于生长参数，可以通过塞曼分裂和mn -空穴相互作用效应的相互作用来解释。我们的结果有助于理解Mn掺杂GaAs结构上自旋极化的起源和控制，这是开发Mn基自旋电子器件的基础步骤。
We investigated light-emitting diodes consisting of an InGaAs/GaAs quantum well adjacent to a ferromagnetic δ⟨Mn⟩-layer. The magnetic field-dependent circular polarization obtained from both photo- and electroluminescence shows an unusual sign inversion depending on the growth parameters that can be explained by an interplay of the Zeeman splitting and Mn-hole interaction effects. Our results can help to understand the origin and control of the spin polarization on Mn doped GaAs structures, a fundamental step for the development of Mn-based spintronic devices.
使用半金属自旋态的自旋注入对核自旋进行相干操纵
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
野村 航;宮川 拓望;山本 眞史;植村 哲也;T. Uemura
通讯作者：
T. Uemura