六方晶窒化ホウ素(hBN)/グラフェン/hBN構造におけるゼロ磁場中非局所抵抗
六方晶窒化ホウ素(hBN)/グラフェン/hBN構造におけるゼロ磁場中非局所抵抗
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零磁场下六方氮化硼（hBN）/石墨烯/hBN结构的非局域电阻
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
森山悟士
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小松克伊;渡辺英一郎;津谷大樹;渡邊健司;谷口尚;森山悟士
