W.Nakao, H.Fukuyama, K.Nagata: "AlN Firms Epitaxialy Formed by Direct Nitridation of Sapphire using Aluminum Oxynitride as a Buffer Layer"Proceedings Vol.of the Wide Bandgap Semiconductors for Photonic and Electronic Devices and Sensors symposium. 76-82 (
W.Nakao, H.Fukuyama, K.Nagata: "AlN Firms Epitaxialy Formed by Direct Nitridation of Sapphire using Aluminum Oxynitride as a Buffer Layer"Proceedings Vol.of the Wide Bandgap Semiconductors for Photonic and Electronic Devices and Sensors symposium. 76-82 (
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W.Nakao、H.Fukuyama、K.Nagata：“使用氧氮化铝作为缓冲层通过蓝宝石直接氮化形成 AlN 薄膜”，光子电子器件和传感器宽带隙半导体研讨会论文集。
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