IB-10 4H-SiC非極性面上のMOS界面散乱に対する酸化プロセスの影響
IB-10 4H-SiC非極性面上のMOS界面散乱に対する酸化プロセスの影響
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IB-10 氧化工艺对4H-SiC非极性表面MOS界面散射的影响
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
原田 信介
中科院分区：
文献类型：
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作者：
染谷 満;平井 悠久;岡本 光央; 畠山 哲夫;原田 信介
