Erratum: “Characterization of doped silicon in low carrier density region by terahertz frequency Faraday effect” [Appl. Phys. Lett. 92, 012111 (2008)]
Erratum: “Characterization of doped silicon in low carrier density region by terahertz frequency Faraday effect” [Appl. Phys. Lett. 92, 012111 (2008)]
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勘误：“通过太赫兹频率法拉第效应表征低载流子密度区域”[Appl. Phys. 92, 012111 (2008)]
DOI：
10.1063/1.2905298
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发表时间：
2008
影响因子：
4
通讯作者：
R. Shimano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Ikebe;R. Shimano
