Electrical Properties of C-face 4H-SiC MOS Devices Fabricated by NO Direct Oxidation
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NO直接氧化法制备C面4H-SiC MOS器件的电学性能
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岡本大
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tanaka;S.;Kato;R.;Hanakawa;T.;Ikeda;H.;Kasahara;K.;Hosoda;C.;Mori;M.;Honda;M.;Watanabe;K.;岡本大;岡本大;岡本大;岡本大;岡本大;岡本大;岡本大;岡本大
