遷移金属内包Siクラスターを単位構造としたシリサイド半導体とSiとの接合特性
遷移金属内包Siクラスターを単位構造としたシリサイド半導体とSiとの接合特性
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以含过渡金属的Si簇为单位结构的硅化物半导体与Si之间的键合特性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
金山敏彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岡田直也;内田紀行;金山敏彦
