The role of the disordered HfO2 network in the high-kappa n-MOSFET shallow electron trapping
The role of the disordered HfO2 network in the high-kappa n-MOSFET shallow electron trapping
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无序 HfO2 网络在高 kappa n-MOSFET 浅电子俘获中的作用
DOI：
10.1063/1.5059381
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发表时间：
2019
影响因子：
3.2
通讯作者：
Duan Tianli
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Gu Chenjie;Zhou Canliang;Ang Diing Shenp;Ju Xin;Gu Renyuan;Duan Tianli
