Ba18F18In8S21 and Ba9F10In4S10: new kind of mixed anion compounds with the novel low-dimensional structure
Ba18F18In8S21 and Ba9F10In4S10: new kind of mixed anion compounds with the novel low-dimensional structure
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Ba18F18In8S21和Ba9F10In4S10：具有新颖低维结构的新型混合阴离子化合物
DOI：
10.1039/c3ce41954a
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发表时间：
2014-03
期刊：
影响因子：
3.1
通讯作者：
Cheng, Wen-Dan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Wei-Long;Zhang, Hao;He, Zhang-Zhen;Cheng, Wen-Dan
合成并表征了低维混合阴离子化合物Ba18F18In8S21(1)和Ba9F10In4S10(2)。这些化合物在P42/ncm（138）空间群中结晶，其中a = b = 22.0703(8) a, c = 12.6143(9) a, V = 6144.4(6) A3 （Z = 4）为1，Pnma（62）为a = 12.5686(8) a, b = 19.2822(12) a, c = 12.5835(9) a, V = 3049.6(3) A3 （Z = 4）为2。化合物1含有罕见的一维萤石型[Ba16F18]离子区和[BaIn8S21]共价区，而化合物2具有二维萤石型[Ba2F2]嵌段和独特的四核[In4S10]8−阴离子。用密度泛函理论（DFT）进行第一性原理电子结构计算表明，这两种化合物都是直接带半导体，1的间隙为2.28 eV， 2的间隙为2.23 eV。
Low-dimensional mixed anion compounds Ba18F18In8S21 (1) and Ba9F10In4S10 (2), are synthesized and characterized. These compounds crystallize in the space group P42/ncm(138) with a = b = 22.0703(8) A, c = 12.6143(9) A, and V = 6144.4(6) A3 (Z = 4) for 1 and Pnma(62) with a = 12.5686(8) A, b = 19.2822(12) A, c = 12.5835(9) A, and V = 3049.6(3) A3 (Z = 4) for 2. Compound 1 contains the unusual one-dimensional fluorite type [Ba16F18] ionic region and [BaIn8S21] covalent region, whereas 2 has a two-dimensional fluorite type [Ba2F2] block and the unique tetranuclear [In4S10]8− anion. The first principles electronic structure calculation performed with density functional theory (DFT) indicates that the two compounds are both direct band semiconductors with a gap of 2.28 eV for 1 and 2.23 eV for 2.
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