Fabrication of Ultrahigh Density 10-nm-order Sized C Nanodot Array as a Pattern-transfer Mask
Fabrication of Ultrahigh Density 10-nm-order Sized C Nanodot Array as a Pattern-transfer Mask
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超高密度 10 纳米级大小的 C 纳米点阵列的制造作为图案转移掩模
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Hosaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Huda;J. Liu;Y. Yin;and S. Hosaka
