Effect of forming gas annealing on the enhancement of the electron spin lifetime in the inversion channel of Si-based spin MOSFETs
Effect of forming gas annealing on the enhancement of the electron spin lifetime in the inversion channel of Si-based spin MOSFETs
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形成气体退火对硅基自旋MOSFET反型沟道电子自旋寿命增强的影响
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and R. Nakane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Sato;S. Okamoto;M. Tanaka;and R. Nakane
