K.Sato, H.Katayama-Yoshida: "Material Design of GaN-based Ferromagnetic Diluted Magnetic Semiconductors"Jpn. J. Appl. Phys.. 40. L485-L487 (2001)
K.Sato, H.Katayama-Yoshida: "Material Design of GaN-based Ferromagnetic Diluted Magnetic Semiconductors"Jpn. J. Appl. Phys.. 40. L485-L487 (2001)
复制标题
K.Sato、H.Katayama-Yoshida：“GaN 基铁磁稀磁半导体的材料设计”Jpn。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
