R.kobayashi,K.Fujii and F.Hasegawa: "Etching of GaAs by Atomic Hydrogen Generated by a Tungsten Filament" Japan.J.Appl.Phys.30. L1447-L1449 (1991)
R.kobayashi,K.Fujii and F.Hasegawa: "Etching of GaAs by Atomic Hydrogen Generated by a Tungsten Filament" Japan.J.Appl.Phys.30. L1447-L1449 (1991)
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R.kobayashi、K.Fujii 和 F.Hasekawa：“通过钨丝产生的原子氢蚀刻 GaAs”Japan.J.Appl.Phys.30。
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