Selective-area growth of heavily n–doped GaAs nanostubs on Si(001) by molecular beam epitaxy
Selective-area growth of heavily n–doped GaAs nanostubs on Si(001) by molecular beam epitaxy
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通过分子束外延在 Si(001) 上选择性区域生长重 n 掺杂 GaAs 纳米棒
DOI：
10.1063/1.4947436
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发表时间：
2016
影响因子：
4
通讯作者：
J. Woo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yoon Jung Chang;P. Simmonds;B. Beekley;M. Goorsky;J. Woo
使用纵横比捕获技术，我们演示了 Si(001) 衬底上 GaAs 纳米棒的分子束外延。 SiO2 掩模中的纳米孔充当 GaAs-on-Si 选择性区域生长 (SAG) 纳米短棒的模板，纳米短棒高 120 纳米，直径≤100 纳米。我们研究了生长参数（包括衬底温度和生长速率）对 SAG 的影响。优化这些参数可实现仅在暴露的 Si(001) 上生长 GaAs 的完全选择性。由于受限的几何形状，GaAs 纳米棒中的应变和缺陷在横向尺寸上受到限制，并且表面能进一步最小化。我们通过制造异质 p+–Si/n+–GaAs p–n 二极管来评估选择性生长的 GaAs 纳米棒的电性能。
Using an aspect ratio trapping technique, we demonstrate molecular beam epitaxy of GaAs nanostubs on Si(001) substrates. Nanoholes in a SiO2 mask act as a template for GaAs-on-Si selective-area growth (SAG) of nanostubs 120 nm tall and ≤100 nm in diameter. We investigate the influence of growth parameters including substrate temperature and growth rate on SAG. Optimizing these parameters results in complete selectivity with GaAs growth only on the exposed Si(001). Due to the confined-geometry, strain and defects in the GaAs nanostubs are restricted in lateral dimensions, and surface energy is further minimized. We assess the electrical properties of the selectively grown GaAs nanostubs by fabricating heterogeneous p+–Si/n+–GaAs p–n diodes.
影响因子：
3.7
作者：
Cirlin, G. E.;Dubrovskii, V. G.;Zeze, Dagou
通讯作者：
Zeze, Dagou