Multi-Mesa-Channel Structure for Improvement of Gate Controllability and Current Stability in AlGaN/GaN HEMTs
Multi-Mesa-Channel Structure for Improvement of Gate Controllability and Current Stability in AlGaN/GaN HEMTs
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用于提高 AlGaN/GaN HEMT 栅极可控性和电流稳定性的多台面沟道结构
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Ohi;T.Hashizume
