High-k/GeMOSFETにおける移動度特性の向上
High-k/GeMOSFETにおける移動度特性の向上
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改善高 k/Ge MOSFET 的迁移率特性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
西村知紀,李忠賢,王盛凱,田畑俊行,長汐晃輔,喜多浩之,鳥海明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井村将隆;早川竜馬;大里啓孝;渡辺英一郎;津谷大樹;Meiyong Liao;小出康夫;天野浩;西村知紀,李忠賢,王盛凱,田畑俊行,長汐晃輔,喜多浩之,鳥海明
