High sensitive ultraviolet photodiodes of ZnSSe n^+-i-p structure on p+-CraAs with extremelythin n^+-window layer grown by MBE
High sensitive ultraviolet photodiodes of ZnSSe n^+-i-p structure on p+-CraAs with extremelythin n^+-window layer grown by MBE
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MBE法生长p-CraAs上极薄n^-窗口层的ZnSSe n^-i-p结构高灵敏紫外光电二极管
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
KAndo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Miki;T. Abe;Y. Oshita;D. Katada;K. Nobe;M. Nomura;M. Adachi;H. Kasada;KAndo
