Macroscopic and structural changes at the incommensurate-normal phase transition in melilites
Macroscopic and structural changes at the incommensurate-normal phase transition in melilites
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黄长石不通约-正常相变时的宏观和结构变化
DOI：
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发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
F. Röthlisberger
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Seifert;F. Röthlisberger
黄长石的结构和物理性质随温度的变化以及它们在ineradate-normal相变时的变化都与将ineradate-modulated（IC）结构的形成与结构应变相联系的模型相一致。这种应变源于层间阳离子的大小、其热振动以及四面体片的大小和变形之间的相互作用。因此，当接近IC-N相变时，IC结构不断地朝着高温正（N）相的那些性质改变其性质。远低于转变温度的调制是矩形的，该结构最终可以由静态微区模型描述。除了化学效应（主要是阳离子尺寸），结构缺陷在不可调相的行为中也起着关键作用。黄长石的温度结构和物理特性及其在“正常”（N）-结构中的相形成与一个模型是一致的，因此，通过结构测试可以形成IC-结构。这种变形是通过两种离子的相互作用、热变形、吸收和变形来实现的。Dementsprechend ändern sich die Eigenschaften der IC-Struktur bei Annäherung an den IC-N-Phasenübergang kontinuierlich in Richtung auf die Hochtemperatur-“Normal”-Struktur.因此，通过一种静态的Mikrodomänen-Modell韦尔登，可以实现调制调整和结构调整。Neben chemischen Einflüssen（vor allem Radien der Kationen）spielen auch strukturelle Defekte eine Schlüsselrolle im Verhalten der IC-Phase.
SummaryThe temperature-dependent structural and physical properties of melilites and their changes at the incommensurate-normal phase transition all are consistent with a model relating the formation of the incommensurately modulated (IC) structure to structural strain. This strain originates from an interplay between the size of the interlayer cation, its thermal vibration, and the size and deformation of the tetrahedral sheet. Consequently, the IC structure changes its properties continuously towards those of the high-temperature normal (N) phase as the IC-N phase transition is approached. Far below the transition temperature the modulation is rectangular and the structure can eventually be described by a static microdomain model. Besides chemical effects (essentially cation size), structural defects play a key role in the behaviour of the incommensurately modulated phase.ZusammenfassungDie temperaturabängigen strukturellen und physikalischen Eigenschaften der Melilite und ihre Änderungen am Phasenübergang von der inkommensurablen (IC) zur “Normal”(N)-Struktur sind konsistent mit einem Modell, das die Bildung der IC-Struktur durch strukturelle Verspannung erklärt. Die Verspannung entsteht durch die Wechselbeziehung zwischen der Größe des Zwischenschicht-Kations, seiner thermischen Schwingung und der Abmessung und Deformation der Tetraederschicht. Dementsprechend ändern sich die Eigenschaften der IC-Struktur bei Annäherung an den IC-N-Phasenübergang kontinuierlich in Richtung auf die Hochtemperatur-“Normal”-Struktur. Weit unterhalb der Übergangstemperatur ist die Modulation rechteckig und die Struktur kann durch ein statisches Mikrodomänen-Modell beschrieben werden. Neben chemischen Einflüssen (vor allem Radien der Kationen) spielen auch strukturelle Defekte eine Schlüsselrolle im Verhalten der IC-Phase.