Reversible Entropy‐Driven Defect Migration and Insulator‐Metal Transition Suppression in VO2 Nanostructures for Phase‐Change Electronic Switching
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DOI：
10.1002/cphc.202300059
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ning Dai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rui Zhang;Wanli Yang;Lepeng Zhang;Tiantian Huang;Linkui Niu;Peiran Xu;Zhimin Chen;Xin Chen;Weida Hu;Ning Dai
