T.Hashizume: "Depletion characteristics of Direct Schottky Contacts to Ouantum Wel1s Formed by In Situ Selective Electrochemical Process" Jpn.J.Appl.Phys. 34. 1149-1152 (1995)

T.Hashizume: "Depletion characteristics of Direct Schottky Contacts to Ouantum Wel1s Formed by In Situ Selective Electrochemical Process" Jpn.J.Appl.Phys. 34. 1149-1152 (1995)
复制标题

T.Hashizume:“通过原位选择性电化学过程形成的 Ouantum Wel1s 直接肖特基接触的耗尽特性”Jpn.J.Appl.Phys。

DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
--
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:

文献摘要

相似文献