触媒基準エッチング法による4H-SiC基板の平坦化加工と加工表面の評価
触媒基準エッチング法による4H-SiC基板の平坦化加工と加工表面の評価
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采用催化剂蚀刻法进行 4H-SiC 基板的平坦化及加工表面的评价
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
橘一真
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Okamoto;Y.Sano;K.Tachibana;K.Arima;A.N.Hattori;K.Yagi;J.Murata;S.Sadakuni;K.Yamauchi;Takeshi Okamoto;Takeshi Okamoto;橘一真
