Pressure effect on intermediate valence semiconductor SmB6: 11B-NMR
Pressure effect on intermediate valence semiconductor SmB6: 11B-NMR
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压力对中价半导体 SmB6 的影响：11B-NMR
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Mito et al.,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Nishiyama;T. Mito et al.,
