Triple barrier resonant tunneling diodes for microwave signal generation and detection
Triple barrier resonant tunneling diodes for microwave signal generation and detection
复制标题
用于微波信号生成和检测的三重势垒谐振隧道二极管
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Suhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Keller;A. Tchegho;B. Munstermann;W. Prost;F. Tegude;M. Suhara
提出了一种非对称InP基三势垒共振隧穿二极管。对于正偏置电压，该器件像对称共振隧穿二极管一样工作，提供宽范围的负微分电阻。在零偏条件下，它可用作灵敏的高频检波器。非线性还可以实现高频混频器应用。
We present an asymmetrical InP-based three barrier resonant tunneling diode with high current density. For positive bias voltages the device operates like a symmetrical resonant tunneling diode, providing a wide region of negative differential resistance. Under zero bias condition it can be used as a sensitive high frequency detector. The nonlinearity may also enable high frequency mixer applications.
影响因子：
4
作者：
Feiginov, Michael;Sydlo, Cezary;Meissner, Peter
通讯作者：
Meissner, Peter