The Temperature Dependece of Relaxation of Resistive Memory Effect in a Metal/PLZT Thin Film
The Temperature Dependece of Relaxation of Resistive Memory Effect in a Metal/PLZT Thin Film
复制标题
金属/PLZT薄膜中电阻记忆效应弛豫的温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yukio Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kazumasa Yamada;Shigeru kaku;Mizuki Yamato;Daisuke Matsumoto;Yukio Watanabe
